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活性金屬釬焊氮化硅陶瓷覆銅板

AMB（Active Metal Brazing，活性金屬釬焊）工藝利用釬焊料中含有的少量活性元素（例如，鈦Ti）與陶瓷反應生成能被液態(tài)釬焊料潤濕的反應層，從而實現(xiàn)陶瓷與金屬結合的一種方法。

AMB-Si3N4陶瓷覆銅電路板，具有高導熱、高絕緣、高熱容以及與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)等特性，是功率半導體行業(yè)不可缺少的封裝材料。


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產品優(yōu)勢

  • ●  可定制化，根據(jù)客戶要求匹配不同的陶瓷厚度，Cu層厚度以及表面處理方式

    ●  熱導率在 25°C 溫度條件≥ 80 W/m*K

    ●  在 40°C - 400°C 溫度范圍下，CTE 為 2.5~3.1 ppm/K

    ●  抗彎強度≥700MPa,具有更高的可靠性，適用于嚴苛的工況

    ●  可以釬焊0.8mm 以上的銅層，載流大，降低熱阻

    ●  通過選擇性鍍Ag表面處理，配套燒結Ag 工藝，完美適配SiC芯片

產品應用

  • ●  光伏風電

    ●  電動汽車

    ●  高端白色家電

  • ●  電網(wǎng)輸配電

    ●  牽引系統(tǒng)


技術參數(shù)

  • TCQ-WF-RD-01 產品規(guī)格書（AMB）
    TCQ-WF-RD-01 產品規(guī)格書（AMB）

    文件類型：pdf

    文件大小：360 KB

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